德氪微此次展示的毫米波無(wú)線隔離芯片與模組,基于超短距毫米波非接觸傳輸架構(gòu),可在隔離屏障兩側(cè)實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸。

6月3日至5日,第十九屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏和智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“SNEC”)在上海舉行。全球領(lǐng)先的超短距毫米波芯片設(shè)計(jì)公司——德氪微電子(深圳)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“德氪微”)現(xiàn)場(chǎng)展示了其自研的毫米波無(wú)線隔離芯片與模組。相關(guān)產(chǎn)品及應(yīng)用方案可用于光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、充電模塊、高壓變頻器、SST固態(tài)變壓器及高壓工業(yè)電源等場(chǎng)景,為光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)在高電壓、高頻率和強(qiáng)共模干擾環(huán)境下構(gòu)建更安全、更穩(wěn)定的隔離鏈路提供新的芯片級(jí)路徑。

作為全球光伏與智慧能源領(lǐng)域具有重要影響力的行業(yè)展會(huì)之一,SNEC集中呈現(xiàn)了光伏、儲(chǔ)能、電池技術(shù)、智慧能源及相關(guān)電力電子產(chǎn)業(yè)鏈的最新進(jìn)展。本屆展會(huì)現(xiàn)場(chǎng),光伏逆變器、儲(chǔ)能PCS、充電模塊、功率半導(dǎo)體和新型電力系統(tǒng)方案集中亮相,也反映出光伏行業(yè)正加速向光儲(chǔ)融合、高效功率轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)級(jí)能源管理延伸。

在這一趨勢(shì)下,光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)持續(xù)向更高電壓、更高功率密度和更高轉(zhuǎn)換效率演進(jìn)。SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體器件的應(yīng)用,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)開關(guān)頻率、dv/dt水平和電磁環(huán)境復(fù)雜度,也對(duì)隔離器件的耐壓能力、CMTI、傳輸延遲、寄生參數(shù)控制、局部放電可靠性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性提出了更高要求。

德氪微此次展示的毫米波無(wú)線隔離芯片與模組,基于超短距毫米波非接觸傳輸架構(gòu),可在隔離屏障兩側(cè)實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸。該技術(shù)以無(wú)線方式完成隔離鏈路中的信號(hào)跨越,在滿足高壓隔離需求的同時(shí),兼顧低延遲、高CMTI和長(zhǎng)期可靠性,適用于隔離驅(qū)動(dòng)和高速數(shù)字隔離等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

在核心性能方面,德氪微毫米波無(wú)線隔離產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)TDDB 10 kVrms連續(xù)測(cè)試4個(gè)月零失效,通過(guò)30kVrms浪涌測(cè)試、25kVrms/60s隔離耐壓測(cè)試,同時(shí)CMTI實(shí)測(cè)值達(dá)到400kV/μs。圍繞高壓、高頻、高dv/dt應(yīng)用需求,德氪微也在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)重點(diǎn)呈現(xiàn)了其在寄生參數(shù)控制、局部放電可靠性及長(zhǎng)期高壓可靠性等方面的技術(shù)探索。

面向第三代半導(dǎo)體及高壓電力電子應(yīng)用,德氪微毫米波無(wú)線隔離產(chǎn)品可支持GaN、SiC等功率器件驅(qū)動(dòng)及高壓信號(hào)隔離需求。針對(duì)GaN高頻應(yīng)用,相關(guān)方案可支持1–2MHz及更高頻率應(yīng)用;針對(duì)SiC中高壓應(yīng)用,可滿足高壓隔離、低延遲和高可靠驅(qū)動(dòng)需求。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng),德氪微結(jié)合光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、充電模塊、高壓變頻器及SST固態(tài)變壓器等應(yīng)用拓?fù)洌尸F(xiàn)毫米波無(wú)線隔離芯片與模組在不同系統(tǒng)架構(gòu)中的部署方式及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

聚焦光儲(chǔ)高壓電力電子系統(tǒng),德氪微在SNEC 2026展示毫米波無(wú)線隔離方案

隨著光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)向高效率、小型化和高可靠方向演進(jìn),隔離器件正在成為影響系統(tǒng)安全裕量、抗擾能力和長(zhǎng)期穩(wěn)定性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。德氪微將毫米波非接觸傳輸技術(shù)引入隔離器件設(shè)計(jì),為光儲(chǔ)及更廣泛的高壓、高頻電力電子系統(tǒng)提供新的芯片級(jí)隔離方案。

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